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行業(yè)新聞

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G3VM MOS FET小型化歐姆龍繼電器的優(yōu)勢(shì)

文章來(lái)源: 東莞市潺林電子有限公司人氣:717發(fā)表時(shí)間:2022-10-21 10:09:49

    隨著科技的發(fā)展,產(chǎn)品體積小型化 產(chǎn)品質(zhì)量輕型化,越來(lái)越受大家重視,那么轉(zhuǎn)型勢(shì)在必行。

   接下來(lái)為大家介紹一款小型化的MOS FET歐姆龍繼電器,它的輸出元件是使用MOF FET的半導(dǎo)體繼電器(SSR=固態(tài)繼電器)。

   MOS FET繼電器具有低維護(hù)成本,高速,小體積等特點(diǎn),正在逐步替代機(jī)械繼電器。

   歐姆龍不斷擴(kuò)充繼電器的產(chǎn)品系列,全新小型封裝產(chǎn)品S-VSON/VSON以及大容量,高絕緣和高靈敏等產(chǎn)品。

   MOS FET歐姆龍繼電器的特點(diǎn):

  1. 超小型,輕量:繼SSOP,USOP之后,超小型的新式封裝VSON,S-VSON也全新上市,有助于設(shè)備整體小型化。
  2. 低驅(qū)動(dòng)電流:在推薦運(yùn)行條件下的驅(qū)動(dòng)電流2-15mA,還有最小用0,2mA驅(qū)動(dòng)的產(chǎn)品,為整體設(shè)備的節(jié)能化做出貢獻(xiàn)。
  3. 壽命長(zhǎng):采用光信號(hào)傳輸方式,實(shí)現(xiàn)無(wú)接點(diǎn)構(gòu)造,不會(huì)因?yàn)榻狱c(diǎn)磨損而造成壽命縮短,實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)使用壽命。
  4. 漏電流微小:能夠耐受外來(lái)浪涌,也不帶緩沖電路,正常情況下,典型漏電流最大僅為1nA.
  5. 高絕緣性:將電壓轉(zhuǎn)換成光,并作為信號(hào)傳送,因此可對(duì)輸入輸出間進(jìn)行電路隔離。
  6. 靜音:不會(huì)像機(jī)械式繼電器那樣因?yàn)榻饘俳狱c(diǎn)產(chǎn)生開(kāi)閉音,有助于設(shè)備的靜音化。
  7. 高速度響應(yīng)性:0.2ms的動(dòng)作時(shí)間比機(jī)械式繼電器的3ms-5ms明顯縮短。
  8. 正確控制微小模擬信號(hào):由于與晶閘管開(kāi)關(guān)等相比不感帶極小,因此轉(zhuǎn)換為輸出波形時(shí)基本不會(huì)歪曲未銷模擬信號(hào)的輸入波形。
  9. MOS FET繼電器應(yīng)用場(chǎng)景:
  10. 機(jī)床/FA設(shè)備
  11. 半導(dǎo)體檢查裝置(ATE)/半導(dǎo)體檢查接口板示波器
  12. 安全設(shè)備(煙,氣體探測(cè)器,門(mén)禁視頻電話)
  13. 娛樂(lè)器械