繼電器做開(kāi)關(guān)和MOSFET做開(kāi)關(guān),兩者有什么區(qū)別呢?

1、阻抗不同，為了實(shí)施開(kāi)關(guān)動(dòng)作，其耗電量不同。

（1）MOSFET為電壓控制的(voltage-controlled)組件，也就是為了能在漏極端有電流產(chǎn)生，必須在閘極與源極之間，提供額定的電壓值，由于MOSFET的閘極端與源極端之間會(huì)被氧化硅層(silicon oxide layer)作電氣上的隔離，因此，僅有微量的漏電流會(huì)由所供應(yīng)的電壓源進(jìn)入閘極。所以MOSFET具有極高的增益與極高的阻抗。 

（2）繼電器是通過(guò)線(xiàn)圈控制的，必須施加電流，其阻抗低，為了開(kāi)關(guān)耗費(fèi)的電量相對(duì)大一些。

2、關(guān)斷原理不同
（1）要將MOSFET關(guān)閉（OFF）時(shí)，只要將閘極至源極電壓移去，即可將MOSFET達(dá)至OFF狀態(tài)。在移去閘極電壓時(shí)電晶體會(huì)關(guān)閉，此時(shí)漏極與源極之間會(huì)呈現(xiàn)非常高的阻抗，因而除了漏電流（幾微安培），可抑制其它的電流產(chǎn)生。
（2）繼電器是通過(guò)改變繼電器線(xiàn)圈的電流，實(shí)現(xiàn)觸點(diǎn)分離，理論上可以說(shuō)，斷開(kāi)后沒(méi)有漏電流。

3、要想實(shí)現(xiàn)常開(kāi)（常閉）開(kāi)關(guān)，繼電器很好實(shí)現(xiàn)，而MOSFET需要合理設(shè)計(jì)電路才行。