繼電器做開關(guān)和MOSFET做開關(guān),兩者有什么區(qū)別呢?

1、阻抗不同，為了實施開關(guān)動作，其耗電量不同。

（1）MOSFET為電壓控制的(voltage-controlled)組件，也就是為了能在漏極端有電流產(chǎn)生，必須在閘極與源極之間，提供額定的電壓值，由于MOSFET的閘極端與源極端之間會被氧化硅層(silicon oxide layer)作電氣上的隔離，因此，僅有微量的漏電流會由所供應(yīng)的電壓源進入閘極。所以MOSFET具有極高的增益與極高的阻抗。 

（2）繼電器是通過線圈控制的，必須施加電流，其阻抗低，為了開關(guān)耗費的電量相對大一些。

2、關(guān)斷原理不同
（1）要將MOSFET關(guān)閉（OFF）時，只要將閘極至源極電壓移去，即可將MOSFET達至OFF狀態(tài)。在移去閘極電壓時電晶體會關(guān)閉，此時漏極與源極之間會呈現(xiàn)非常高的阻抗，因而除了漏電流（幾微安培），可抑制其它的電流產(chǎn)生。
（2）繼電器是通過改變繼電器線圈的電流，實現(xiàn)觸點分離，理論上可以說，斷開后沒有漏電流。

3、要想實現(xiàn)常開（常閉）開關(guān)，繼電器很好實現(xiàn)，而MOSFET需要合理設(shè)計電路才行。