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光耦繼電器G3VM-31HR1光敏半導體MOS FET

光耦繼電器G3VM-31HR1光敏半導體MOS FET

產品分類：MOS FET繼電器
產品說明：
  • 種類
  • 額定/性能
  • 外形尺寸
  • 注意事項

SOP6針封裝,實現(xiàn)與機械式繼電器相當?shù)牡蛯娮?、高容量開關的光敏半導體MOS FET
連續(xù)負載電流 4.5A(9A)*
* C連接時的值為()中的值。

種類

形狀 接點結構 端子種類 負載電壓
(最大) ?1 		連續(xù)負載電流
(最大) ?1 		型號 最小包裝 單位(個)
A、B連接 C連接 包裝狀態(tài)/
桿狀 		包裝狀態(tài)/
帶狀
SOP6 1a 表面安裝端子 30V 4.5A 9.0A G3VM-31HR1 75 ---
G3VM-31HR1(TR05) --- 500

額定 / 性能

(Ta = 25°C)

項目 符號 定值 單位 條件
輸
入
側 		LED正向電流 IF 30 mA  
直流正向電流降低比率 ΔIF/oC -0.3 mA/oC Ta≥25oC
LED反向電壓 VR 6 V  
粘合部位溫度 TJ 125 oC  
輸
出
側 		負載電壓(峰值AC/DC) VOFF 30 V  
連續(xù)負載電流 A連接 IO 4500 mA A連接:峰值AC/DC
B、C連接:DC
B連接
C連接 9000
導通電流降低 比率 A連接 ΔIO/oC -45 mA/oC Ta≥25oC
B連接
C連接 -90
脈沖導通電流 Iop 13.5 A t=100ms, Duty=1/10
粘合部位溫度 TJ 125 oC  
輸入輸出間耐電壓?1 VI-O 1500 Vrms AC持續(xù)1分鐘
使用環(huán)境溫度 Ta -40~+110 oC 無結冰、無凝露
保存溫度 Tstg -55~+125 oC
焊接溫度條件   260 oC 10s

電氣性能

(Ta = 25°C)

項目 符號 最小 標準 最大 單位 條件
輸
入
側 		LED正向電壓 VF 1.50 1.65 1.80 V IF=10mA
反向電流 IR --- --- 10 μA VR=5V
端子間電容 CT --- 70 --- pF V=0、f=1MHz
觸發(fā)LED正向電流 IFT --- 0.3 3 mA IO=1000mA
復位LED正向電流 IFC 0.1 --- --- mA IOFF=10μA
輸
出
側 		最大輸出導通電阻 A連接 RON --- 0.022 --- Ω IF=5mA
IO=4.5A(A、B連接)、
IO=9A(C連接)、
t <1S
B連接 --- 0.011 ---
C連接 --- 0.006 ---
A連接 --- --- 0.03
B連接 --- --- 0.015
C連接 --- --- 0.008
開路時漏電流 ILEAK --- --- 1000 nA VOFF=30V
端子間電容 COFF --- 1200 --- pF V=0、f=1MHz
輸入輸出間電容 CI-O --- 0.8 --- pF f=1MHz、VS=0V
輸出輸入間電容絕緣電阻 RI-O 1000 108 --- MΩ VI-O=500VDC、
RoH≤60%
動作時間 tON --- 0.6 2 ms IF=5 mA、
RL=200Ω、
VDD=20V?2
復位時間 tOFF --- 0.15 0.5

外形尺寸

(單位 : mm)

※標記內容與實際商品有所不同。

G3VM-31HR1

  • 表面安裝端子

    (重量:0.13g)

    表面安裝端子
  • 實際焊盤尺寸

    (推薦值 TOP View)

    實際焊盤尺寸
    端子配置/內部接線圖

    (Top View)

    端子配置/內部接線圖